普利茅斯公司开发了适合最新硅芯片以监测性能的组件。
Moortec半导体开发的嵌入式监控系统在台湾芯片制造商台积电的最新7NM FinFET（FF）过程上。仅在7nm上设计来自英特尔和AMD和AMD和自定义ASIC芯片的最新的尖端处理器。
“我们的技术提供了在片内查看条件所需的工具”
片内监测已成为小几何设计的设计和性能优化的重要因素。自2010年Moortec以来，开发了一种复杂的嵌入式工艺，电压和温度（PVT）传感织物，用于芯片的40nm下降至7nm。
- 你可能喜欢： 超声波传感器为布里斯托尔启动带来1.1米的投资
“为此目前解决Giga-Scale问题的一个关键方面是，优化可以应用于生产过程中的每个设备，或者在该字段中的设备出来时。我们认为，IC设计人员前进的策略将受到在每个设备的一生中收集的数据的数据分析，”Moortec（上文）首席执行官斯蒂芬克拉赫说。
“该行业需要面对摩尔提出的挑战’s Law,”他说。这是对硅芯片制作的改进的需求，并设计每18个月至两年的表现加倍。获得此额外性能的挑战与当前的10nm和7nm进程更加艰难。
“我们的技术为IC设计社区提供了信心，并且可以在芯片片内查看条件所需的工具，而不仅仅是每个设备，而且在设备的区域内，以优化电源，速度或可靠性，取决于客户应用，” he added. “我们计划处于这种新兴和令人兴奋的半导体行业领域的最前沿，这些行业正在快速发展。”
7nm温度传感器
在子系统内，新的7nm温度传感器是一种高精度的低功耗结温传感器，已开发为嵌入到ASIC设计中。它可用于许多不同的应用，包括动态电压和频率缩放（DVF），设备寿命增强，设备表征和热分析。
过程监视器块允许芯片开发人员检测7nm器件的过程变化。这提供了连续的DVFS优化，以便芯片设计人员可以监控芯片上的制造变异性，测量栅极延迟，应对关键路径分析，临界电压分析以及监控硅片‘ageing’。所有这些都改善了制造过程，提高了产量并降低了最新芯片的成本。
子系统还包括具有从ARM的AMBA APB总线的接口的复杂过程，电压和温度（PVT）控制器。这支持多个监视器和统计数据以及提供生产测试访问端口。
该公司于2005年始于Plessey半导体的工程师’普利茅斯的芯片制作植物。该工厂现在正在为照明系统制作LED芯片。
那里’s more details at www.moortec.com。
- 你可能喜欢： 布里斯托尔和浴科学集群来自哪里？
